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台版晶片法今拍板!研發投抵25%營所稅 台積電、聯發科可望受惠

行政院今將審議號稱台版晶片法的《產業創新條例》第10之2條修正草案,拍板後明年元旦上路PP。圖為當地時間8月9日,美國總統拜登在白宮簽署《晶片和科學法案》。(圖/中新社)

號稱台版晶片法的《產業創新條例》第10之2條修正草案,行政院今將排入院會議程審議,預計拍板定案後明年元旦上路,對位居國際供應鏈關鍵地位的公司提供研發及設備投資抵減,其中前瞻研發支出抵減率高達25%,為產創最高抵減,台積電、聯發科等半導體大廠將有望適用,也被外界視為「護國群山條款」。

草案中,明訂三大適用要件,要求研發費用及研發密度達一定規模外,有效稅率也須達一定比率。抵減率部分,前瞻研發支出當年度抵減率25%;購置先進設備當年度抵減率5%,且「無投資抵減支出金額上限」。官員指出,兩抵減各自上限不得超過當年度營所稅30%,兩項合計不得超過50%。

經濟部官員指出,研發費用規模、密度仍待財經兩部會協調,在子法中訂定。其中有效稅率已達共識,擬配合OECD最低稅負制調整期程,亦即明年上路,有效稅率以12%為門檻,2024年隨OECD國家施行最低稅負15%配合調整,若屆時有變數,保留政院可延後一年的緩衝彈性,最遲2025年需達15%。

據悉,研發費用與研發密度尚未定案,研發費用規模擬就50億元、70億元、100億元三種版本研商,研發密度(指研發支出占營收淨額比率)目前製造業平均為3.2%,國際關鍵地位企業勢必要更高,很可能落在6~7%,但不會到10%。至於先進製程設備投資門檻也以100億為思考起點。

官員說,規模門檻越高、適用企業越少,若門檻訂在100億元,台積電、聯發科、聯詠都符合適用條件,但若門檻降低至70億元,聯電、日月光、南亞科、群聯、瑞昱等大廠都可進入安全名單,若降為50億元,適用業者會更多。

面對美國晶片法案、日本半導體復興計畫、韓國K半導體戰略逐一出爐,為鞏固台灣半導體技術居全球領先定位,經濟部6月預告這項草案,特別鎖定符合「國際供應鏈關鍵地位」企業,雖未限制產業類別,但以半導體等跨國高科技企業較可能符合適用門檻。