南韓檢方控前三星高層外洩技術！助中企「長鑫存儲」量產10奈米DRAM

南韓檢方已起訴包括前三星電子（Samsung Electronics）高階主管在內的10人，指控他們涉嫌將該公司的核心技術外洩給中國晶片製造商長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）。

據《韓聯社》報導，首爾中央地方檢察廳（Seoul Central District Prosecutors’ Office）於23日表示，已有5人遭到羈押，其中包括1名前三星高層，檢方指稱該人涉嫌招募關鍵技術人員，並將三星的專有技術洩漏給長鑫存儲。

根據首爾中央地方檢察廳「資訊科技犯罪調查部」（Information Technology Crime Investigation Department）的說法，這些被告被控違反《不正當競爭防止法》（Unfair Competition Prevention Act）及《產業技術保護法》（Industrial Technology Protection Act）。另有包括長鑫存儲員工在內的5人，在未被羈押的情況下，因相同罪名遭到起訴。

南韓檢方指稱，長鑫存儲在2016年成立後不久，即延攬1名前三星副總裁出任研究部門主管，並賦予其挖角三星關鍵工程師的任務，以強化該公司10奈米（10-nanometre）動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的研發能力。

這起法律風波為長鑫存儲投下陰影。該公司近年來積極追趕全球先進記憶體晶片製造商，同時也是北京推動半導體自給自足戰略的重要一環。截至26日，三星電子（Samsung）與長鑫存儲（CXMT）均未立即回應媒體的置評請求。

檢方於23日的記者會中指出，另1名前三星研究人員涉嫌以手寫方式抄錄公司「製程配方計畫」（Process Recipe Plan），這是1份關於DRAM製造流程的關鍵文件，並將該資料提供給長鑫存儲。

檢方主張，這些行為使長鑫存儲得以在2023年成為首家成功量產10奈米DRAM的中國企業，並導致三星電子在2024年1年內，損失約5兆韓元（約合新台幣1,088億元）的銷售額。

上個月，長鑫存儲推出全新的第5代雙倍資料速率記憶體（Double Data Rate 5，DDR5）DRAM產品，顯示其挑戰南韓記憶體巨頭三星電子與SK海力士（SK Hynix），以及美國美光科技（Micron Technology）主導地位的企圖心。

這批新款DDR5產品具備更高頻率與更大記憶體容量，主要鎖定最先進的人工智慧（AI）運算伺服器與相關系統架構。

此外，這家中國晶片製造商也發表了鎖定行動裝置市場的LPDDR5X系列先進DRAM產品線，並已於今年稍早進入量產階段。

長鑫存儲同時也在籌備於中國大陸掛牌上市，並已於7月完成上市輔導備案（counselling recordation），亦即向證券監管機構正式提交上市前輔導文件。