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輝達欽點！台達電一路向上4天漲百元 5日盤中衝上632元刷新天價
輝達因應AI算力大進化，功率需求飆升，啟動「電力大革命」，要把AI伺服器晶片輸出電壓從目前的54V大幅拉高至800V。因應AI算力大進化，18家合作夥伴也在官網首曝光，入列的電源供應器大廠台達電（2308）今日開盤跳空開高，盤中衝破600元大關，最高更觸及632元，寫下新天價，截至上午11點20分左右，股價暫報626元，漲幅5.56%，成交量達到13237張。因應AI算力大進化，功率需求飆升，輝達啟動「電力大革命」，要把AI伺服器晶片輸出電壓從目前的54V大幅拉高至800V，18家合作夥伴首度曝光，含提供氮化鎵等新一代功率元件晶片的英飛凌、芯源系統、亞德諾半導體、德儀、羅姆半導體、意法半導體、英諾賽科、納微、安森美、瑞薩等，及提供資料中心電力系統的伊頓、施耐德、維締，電源供應器由台灣電源雙雄台達電、光寶（2301）拿下。此外，台達電31日召開法說會以來，短短四天飆漲100元，今日再度寫下新猷，早盤強漲逾5%，正式站上600元大關，最高觸及632元。台達電受惠AI帶動電源、散熱產品出貨暢旺，第二季營收達1240.35億元，再度創下營收新高，稅後純益139.48億元，季增36.3%、年增40.2%，每股純益 5.37元，創歷史單季新高；上半年稅後純益241.79億元，年增53.9%，每股純益9.31元。展望下半年，台達電董事長鄭平認為，如果沒有太大的問題，下半年營運會比上半年好，AI 伺服器電源及散熱產品仍會是主成長動能，目前 AI 電源、散熱產品比重已達 27%，下半年將持續提升。在獲利報喜、展望正向下，外資本周連5日加碼共5337張，投信及自營商在法說會後也各加碼逾400張，台達電周五（1）日股價最高來到597元，終場收588元，上漲21元，漲幅3.7%。
唯一中企！獲輝達指定供應商 「這家」股價1日盤中漲近64%
輝達（NVIDIA）1日更新800V直流電源架構合作商名錄，中國晶片製造商英諾賽科（02577－HK）入選，也是名單中唯一的中國供應商。英諾賽科股價應聲飆漲，一度暴漲近64％，收盤上漲31.9%，報57.6元港幣。根據外媒報導，英諾賽科表示與輝達合作已有一段時間，公司主要憑藉高功率氮化鎵技術入圍，目前合作處於測試階段，暫未產生實質訂單。其合作早已露出端倪，輝達在5月20日公開的一篇與800V架構相關的技術部落格中，提到了該方案的半導體供應商，其中包括英諾賽科、英飛凌、德州儀器、瑞薩電子等行業領軍企業。英諾賽科總部位於中國蘇州，是全球首家實現8吋氮化鎵晶圓量產的IDM廠商，專注於GaN功率元件研發、製造與銷售。該公司產品涵蓋消費性電子、資料中心、新能源車及工業電源等核心場景，2023年以42.4％市占率位居全球GaN分立元件出貨量第一。
美國CHIP4戰台廠2／第三代半導體「黑馬」美握九成 鴻海台達電拚突圍
今年的國際半導體展上，化合物半導體繼續成了市場心焦點。環球晶董事長徐秀蘭也指出，化合物半導體是第三代半導體市場黑馬，預計2027年碳化矽（SiC）元件市場可達63億美元，「但台廠缺乏上游原材料的生產能力。」CTWANT記者現場觀察，今年的國際半導體展雖特別成立的「化合物半導體專區」，基本上，參展廠商仍是以設備廠為主，最關鍵的上游原材料，則僅有代理商參展，直接印證徐秀蘭所言。華冠投顧分析師劉炯德說，目前關鍵上游基板技術掌握在CREE等少數國際廠手中，美國的Cree、II-VI及日本Rohm等，佔據了9成的碳化矽基板出貨量，成了台廠發展第三代半導體必須解決的關鍵瓶頸。回顧60年半導體產業的發展世代，主要是以其原料來區分，第一代初期是鍺（Ge），但有容易發熱失控的問題，逐漸由矽（Si）所取代也成為主流；第二代則是砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為主的三五族，具備高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性。而第三代半導體以碳化矽以及氮化鎵（GaN）為代表，可應用在更高階的高壓功率元件（Power）以及高頻通訊元件（RF）領域，碳化矽由於其耐高溫及高壓特性，市場最看好在電動車（EV）市場的應用，包括充電樁、電動車逆變器（Inverter）、DC/DC轉換器（conveter）、充電樁等，另還有儲能系統和工業設施。工研院電光所博士顏志泓說，因為矽基板有其效能限制，特別是現在電子產品需要的是高頻、高壓等，這些就是靠化合物半導體來解決，只不過成本還是化合物半導體最大的問題。從價格來看，一片8吋的矽基板價格約100美元，6吋的碳化矽基板價格就要3000美元，而如果是氮化鎵（GaN）基板，一片小小的2吋也同樣要價3000美元。為了成為不缺料的代工廠，鴻海也搶進第三代半導體領域。（圖／翻攝自鴻海官網 ）為了搶入化合物半導體市場，除了半導體廠商外，現在連下游廠商也向上延伸布局，包括鴻海（2317）旗下鴻揚半導體宣布投資5億元取得盛新材料10%股權，試圖掌握上游原材料。鴻海S事業群總經理陳偉銘表示，SiC是電動車的重要元件，基板是SiC供應鏈的關鍵材料，不但占SiC元件成本比重高，且直接影響到元件的品質，藉由本次募資案的參與，掌握關鍵的基板供應，建立集團在SiC供應鏈上的競爭優勢，為集團在EV產業提供可靠的助力。不僅鴻海，連台達電（2308）旗下專注於氮化鎵（GaN）功率半導體的子公司碇基半導體，也宣布完成新一輪4.56億元新台幣增資，由台達電、力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm）等注資，共同加速GaN功率半導體技術的發展。至於中國廠商在政府扶持下，也積極搶進這塊新藍海，主要競爭者有中芯國際、天科合達、三安光電、英諾賽科、山東天岳....等。目前全球導電型SiC基板供應龍頭廠為Wolfspeed，市占率高達6成，其次為羅姆（ROHM）與意法半導體（STM），半絕緣型碳化矽基板包括Wolfspeed、昭和電工（Showa Denko）、ROHM、Qorov、安森美（Onsemi）與恩智浦（NXP）等。目前全球導電型SiC基板供應龍頭廠為Wolfspeed，市占率高達6成。（翻攝自Wolfspeed臉書）