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台灣403大地震後調查 集邦:DRAM、晶圓代工產能無嚴重影響

調查指出本次台灣403大地震,多數晶圓代工廠都位屬在震度4級的區域。(圖/報系資料照)

調查指出本次台灣403大地震,多數晶圓代工廠都位屬在震度4級的區域。(圖/報系資料照)

花蓮周三(3日)發生芮氏規模7.2強震,全球科技業者皆關注此次台灣強震,是否會為供應鏈帶來危機。據集邦(TrendForce)最新經調查指出,本次台灣403大地震,多數晶圓代工廠都位屬在震度4級的區域,加上台灣的半導體工廠多以高規格興建,內部的減震措施都是世界頂尖水準,多半可以減震1至2級,整體台灣晶圓代工、DRAM產能無嚴重影響。

集邦調查指出,以本次的震度來看,幾乎都是停機檢查後,迅速復工進行,縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管,導致線上晶圓破片或是毀損報廢,但由於目前成熟製程廠區產能利用率平均皆在50至80%,故損失大多可以在復工後迅速將產能補齊,產能損耗算是影響輕微。

此次的花蓮地震威力之大,台積電也罕見地對地震發出新聞稿指出,在強震發生後的10小時內,晶圓廠設備復原率已超過70%,新建晶圓廠的復原率更已超過80%。雖部分廠區的少數設備受損並影響部分產線生產,主要機台包含所有極紫外(EUV)曝光設備皆無受損。同時強調,該公司已有資源到位以加速達到全面復原,且已持續復工,將繼續密切監控並適時與客戶直接溝通相關影響。

DRAM方面,以位於新北的南亞科(Nanya)Fab3A,以及美光(Micron)林口廠受地震影響較大,南亞科該廠區主責20/30nm製程的產品,最新製程1Bnm正在開發中;美光林口廠與台中廠為DRAM重要生產基地,內部系統已將二個廠區合而為一,目前已有最新1beta nm製程的投片,後續也將有HBM在台灣生產仍需數日時間完全恢復運作,其餘廠區多半在停機檢查後陸續復工。力積電(PSMC)、華邦電(Winbond)等均無恙。

晶圓代工方面,台積電包含Fab2/3/5/8等多座6吋及8吋廠、研發總部 Fab12,以及最新的 Fab20 寶山工廠均位在震度4級的新竹。其中僅Fab12因水管破裂造成部分機台進水,主要影響在尚未量產的2nm製程,評估短期營運不受影響,但可能因機台受潮需要新購機台,造成資本支出小幅度增加。

調查表示,目前產能利用率較高的台積電5/4/3nm先進製程廠區,未進行人員疏散,停機檢查已在震後6至8小時恢復90%以上運作,影響仍在可控範圍。CoWoS廠區方面,目前主要運作廠區龍潭AP3及竹南AP6,事發當下立即進行人員疏散,停機檢查後發現廠務冰水主機有水損問題,但廠務系統多有備援設施,評估不影響運作,已陸續復工。

此外,聯電(UMC)一座6吋廠及六座8吋廠均位在新竹,另有一座12吋廠位在台南,以90~22nm量產為主;力積電包含12吋 DRAM 與8吋、12吋Foundry皆位在新竹苗栗一帶,其中DRAM以25/21nm製程利基型產品為主;世界先進(Vanguard)共三座8吋廠位於新竹、一座位於桃園。上述廠區多半在人員疏散、短暫停機檢查後陸續恢復運作。

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